г.СПб, ул.шоссе Революции, д.69 лит.А
Режим работы: Офис с 9 до 18, Склад с 8 до 17
- Главная/
- Каталог брендов/
- GENERAL SEMICONDUCTOR/
- Тиристоры
Тиристоры GENERAL SEMICONDUCTOR
Тиристор General Semiconductor имеет структуру четырёхслойного полупроводникового прибора. Основной элемент структуры – это p-n-p-n-переход. Он состоит из двух п-n переходов, связанных последовательно друг с другом: первый переход образован пластинкой n-типа, на которую нанесена пластинка p-типа, а второй переход образован пластинкой p-типа, на которую нанесена пластинка n-типа. Также, в структуре тиристора присутствуют два обменика – pnp- и npn-переходы. Такое соединение обеспечивает возможность контролируемого переключения тиристора из одного состояния в другое под действием внешнего сигнала управления. Данная структура позволяет тиристору работать в режиме двухстороннего проводимости, то есть включаться и выключаться как в положительном, так и в отрицательном полупериодах переменного тока. Также она позволяет тиристору обладать высокой эффективностью и надежностью в работе. В целом, структура тиристора General Semiconductor обеспечивает его функциональность и способность работать в различных режимах и сигналами управления.
Для управления тиристором General Semiconductor необходимо выполнить определенные шаги. В первую очередь, необходимо подключить тиристор к схеме управления. Для этого следует подключить анод тиристора к положительному напряжению и катод к нагрузке. Затем необходимо подать управляющий импульс на управляющий электрод тиристора. Для этого можно использовать различные схемы управления, включая схему с резистором и схему с помощью генератора импульсов. В случае использования схемы с резистором, управляющий электрод тиристора подключается к одному концу резистора, а другой конец резистора - к земле. В результате, при превышении определенного напряжения на управляющем электроде (зависит от характеристик тиристора), тиристор переходит в состояние проводимости. В случае использования схемы с помощью генератора импульсов, генератор подключается к управляющему электроду тиристора и создает импульсы определенной формы и длительности. При наличии управляющего импульса, тиристор переходит в проводимое состояние. После включения управляющего импульса и перехода тиристора в состояние проводимости, он продолжает проводить ток, даже если управляющий импульс прекращается. Чтобы
Тиристор General Semiconductor представляет собой полупроводниковое устройство, которое способно контролировать ток в электрической схеме. Он состоит из четырех слоев полупроводниковых материалов (P-N-P-N), которые образуют структуру, похожую на диод. Основные компоненты тиристора General Semiconductor - это анод, катод, воротник и управляющий электрод. Работа тиристора General Semiconductor основана на явлении пробоя, когда превышение напряжения на определенных частях структуры приводит к открытию тиристора и пропуску тока. Управляющий электрод нужен для включения и выключения тиристора, а также для регулирования его работы в режимах открытия и закрытия. При включении тиристора General Semiconductor, например, путем подачи сигнала на управляющий электрод, протекает небольшой ток от анода к катоду. Этот ток вызывает угасание заряда в слое P-N и увеличение тока. Затем, если анодное напряжение превышает некоторое критическое значение, тиристор открывается и начинает пропускать большой ток. Тиристор General Semiconductor обладает некоторыми характеристиками, такими как высокая мощность, низкое сопротивление, высокая надежность и долгий срок службы. Он широко
Для проверки тиристора General Semiconductor необходимо выполнить ряд действий. Во-первых, следует проверить его внешний вид на наличие видимых повреждений, таких как трещины, обгоревшие или выпуклые элементы. Далее, проверяем номинальные параметры тиристора, такие как номинальное напряжение, максимальный ток и его тип (двухполярный или однополярный). Для этого можно обратиться к техническому паспорту тиристора или воспользоваться мультиметром с возможностью измерения напряжения и силы тока. Если тиристор внешне неповрежден и его номинальные значения соответствуют требуемым, можно приступить к проверке его работоспособности. Здесь пригодится источник переменного напряжения, ограничительный резистор сопротивлением, необходимым для ограничения тока, и амперметр для измерения этого тока. Проверку можно начать с измерения проводимости тиристора во всех возможных направлениях. В каждом направлении измеряем сопротивление тиристора и сравниваем с его номинальным значением. В случае значительного отклонения, можно сделать вывод о неисправности тиристора. Однако, проводимость тиристора еще не гарантирует его полноценную работу. Для проверки его переключающих характеристик можно использовать схему с триаком, симулирующую реальное пр
Для подключения тиристора General Semiconductor необходимо следовать определенным шагам. Во-первых, необходимо проверить паспортные данные тиристора, чтобы убедиться в его соответствии по параметрам и подаваемым напряжениям. Затем, следует установить тиристор в схему. Для этого необходимо определить его катод и анод, а также присоединить управляющий электрод. Катод тиристора обычно помечается знаками "-" или "К", а анод - "+". Управляющий электрод может быть обозначен меткой "G" или "УЭ". После этого следует проверить соответствие положения выводов тиристора с оригинальной схемой подключения. Далее, подключаем питание к тиристору. Важно соблюдать правильную полярность идеального напряжения и не превышать допустимые значения для выбранного тиристора. Также рекомендуется подключить соответствующие защитные элементы, такие как диоды, для предотвращения обратной полярности и снижения влияния высокочастотного шума. После всех подключений необходимо выполнить контрольные испытания, чтобы убедиться в правильности подключения и работоспособности тиристора.
Для открытия тиристора General Semiconductor необходимо подать на его управляющий электрод положительное напряжение относительно его катода. Рекомендуется использовать управляющую схему, которая обеспечивает необходимое напряжение и ток для открытия тиристора. При этом следует учесть допустимые значения напряжения и тока для конкретной модели тиристора General Semiconductor, которые указаны в его техническом описании или даташите. Также стоит помнить, что управляющий электрод необходимо подключить к положительному напряжению до того момента, пока сигнал управления или условие для открытия тиристора (например, достижение порогового значения тока) не будут выполнены. Важно соблюдать предельные значения тока и напряжения при работе с тиристором, чтобы избежать его неконтролируемого открытия или повреждения. Перед использованием тиристора General Semiconductor рекомендуется ознакомиться с его документацией и руководством по эксплуатации, а при необходимости проконсультироваться с опытными специалистами в области электроники.
Тиристор General Semiconductor состоит из четырех основных элементов: анода, катода, управляющего электрода и промежуточного слоя полупроводникового материала. Анод является положительным выводом, катод - отрицательным выводом, их можно сравнить с положительным и отрицательным полюсами батарейки. Управляющий электрод, также называемый вентилем, контролирует пропускание электрического тока через тиристор. Промежуточный слой, состоящий из полупроводникового материала, обеспечивает возможность управления током и его пропускания при наличии соответствующих сигналов на управляющем электроде. Все эти элементы тиристора взаимодействуют друг с другом и позволяют регулировать электрические сигналы.
Тиристоры General Semiconductor представляют собой полупроводниковые приборы, которые могут быть использованы во множестве различных приложений. Они широко применяются в электротехнике, энергетике и промышленности. Одним из основных преимуществ тиристоров General Semiconductor является их способность контролировать большие значения электрического тока. Тиристоры могут переключать токи до нескольких киловольт и нескольких килоампер, что делает их идеальным выбором для высоковольтных и высокотоковых приложений. Тиристоры General Semiconductor также обладают высокой степенью надежности и долговечности. Их конструкция и материалы, используемые при производстве, позволяют им работать при высоких температурах и в условиях повышенной нагрузки. Это особенно важно для промышленных и энергетических систем, где требуется стабильная работа приборов в течение длительного времени. Тиристоры General Semiconductor также имеют высокую скорость переключения и низкое энергопотребление. Это делает их полезными для управления и регулирования электрической энергией в различных системах, таких как источники питания, преобразователи частоты, системы управления электроприводами и другие. Одним из примеров применения тиристоров General
Тиристор General Semiconductor является полупроводниковым устройством, которое находит широкое применение в различных областях электроники и электроэнергетики. В электроэнергетике тиристоры General Semiconductor используются в системах управления электропроводностью, включая инверторы переменного тока, преобразователи частоты, твердотельные регуляторы скорости вращения двигателей и другие устройства управления электроэнергией. Их преимущество заключается в способности регулировать и контролировать электропроводность в электрических цепях, что позволяет эффективно управлять энергией и создавать различные типы сигналов. Тиристоры General Semiconductor также широко используются в электронике, включая системы автоматического управления, силовую электронику, системы связи и электропитания. Они могут быть использованы для управления исполнительными механизмами, как бистабильные переключатели, выпрямители, устройства контроля положения и пускатели. Тиристоры General Semiconductor обладают высокой эффективностью и надежностью работы, что делает их предпочтительными компонентами во многих сферах применения. Они способны работать при высоких температурах, имеют высокие электрические характеристики и
Тиристор General Semiconductor имеет различные модели, каждая из которых может иметь разное количество выводов. Общая информация о тиристорах General Semiconductor гласит, что они могут иметь от 2 до 6 выводов в зависимости от конкретной модели. Характеристики каждой модели можно найти в технической документации или на официальном веб-сайте производителя. Следует обратить внимание на то, что информация о тиристорах General Semiconductor может меняться со временем и эта информация актуальна на данный момент.
-
Брендовое оборудование
С гарантией производителя -
Прямые поставки
От производителей Европы, Азии, США -
Без санкций
Поставки из стран, не участвовавших в соглашении -
Редкое оборудование
Поставляем дефицитные и снятые с производства позиции